MODUL 2

[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA]

DAFTAR ISI

1. Tujuan

2. Dasar Teori

3. Alat dan Bahan

4. Tugas Pendahuluan

5. Prosedur Percobaan

6. Percobaan

Percobaan ...

1. Fixed Bias
2. Self Bias
3. Voltage Divider Bias

MODUL 2

TRANSISTOR

1. Tujuan[Kembali]

1. Mengetahui prinsip kerja transistor.

2. Mengetahui prinsip kerja dan karakteristik dari rangkaian fixed bias.

3.Mengetahui prinsip kerja dan karakteristik dari rangkaian self bias

4. Mengetahui prinsip kerja dan karakteristik dari rangkaian voltage divider bias.

2. Dasar Teori[Kembali]

Transistor adalah komponen berbahan semikonduktor yang digunakan sebagai penguat, sirkuit pemutus, penyambung arus (switching), stabilisasi tegangan, dan modulasi sinyal. Pada umumnya transistor memiliki 3 terminal yaitu basis (B), emitter (E), dan collector (C). Berdasarkan susunan semikonduktor yang membentuknya, transistor dibedakan menjadi dua tipe, yaitu:

1.      Transistor NPN

Transistor ini disusun oleh bahan semikonduktor tiga lapis yang terdiri dari dua bahan tipe N dan satu bahan tipe P.

2.      Transistor PNP

Transistor ini disusun oleh bahan semikonduktor tiga lapis yang terdiri dari dua bahan tipe P dan satu  bahan tipe N.

Gambar 2.1 (a) Tipe transistor NPN (b) Tipe transistor PNP

A.  Daerah operasi transistor

Gambar 2.2 Kurva karakteristik transistor

Berdasarkan kurva hubungan VCE, IC, dan IB diatas, terdapat beberapa region yang      menunjukkan daerah kerja transistor, yaitu:

1.    Daerah Potong (Cutoff)

Pada kondisi cutoff, arus Basis (IB) = 0 dan arus Kolektor (IC) = 0, hal ini dikarenakan pada emitter dan kolektor menerima reverse bias.

2.    Daerah Saturasi

Pada kondisi saturasi, arus Kolektor (IC) akan mencapai harga maksimum, tanpa bergantung kepada arus Basis (IB), dan βdc, hal ini dikarenakan pada emitter dan kolektor menerima forward bias.

3.    Daerah Aktif

Pada kondisi aktif, terjadi sifat-sifat yang diinginkan, dimana:

atau

Hal ini dikarenakan pada emitter menerima forward bias sedangkan pada kolektor menerima reverse bias.

4.  Daerah Breakdown

Kondisi breakdown ini dapat terjadi ketika arus Kolektor (IC) melebihi spesifikasi yang diperbolehkan, kondisi breakdown ini dapat mengakibatkan kerusakan pada transistor, maka daerah ini harus dihindari.

A.  Pemberian Bias pada BJT

Istilah bias dimaksudkan penerapan tegangan dc untuk menetapkan tingkat arus dan tegangan tetap. Tegangan dan arus yang dihasilkan menyatakan titik operasi (quiescent point) atau titik Q yang menentukan daerah kerja transistor. Terdapat beberapa jenis pemberian bias pada BJT, sebagai berikut:

1.      Fixed Bias

Gambar 2.3 Rangkaian fixed bias sumber AC

2.      Self Bias

Gambar 2.4 Rangkaian self bias sumber AC

 

3.      Voltage Divider Bias

Gambar 2.5 Rangkaian Voltage divider bias sumber AC

 A. Alat

A. Alat

    a).  Multimeter

    b). Jumper

     c). DC Power Supply

      d) Osiloskop

       (e) Function generator

B. Bahan

  a) Transistor 2N3904

   b) Resistor

4. Tugas Pendahuluan

5. Prosedur Percobaan[Kembali]

4.1 Fixed Bias

    1).  Buatlah rangkaian seperti gambar 2.3 dengan sumber DC.

    2).  Atur Vcc sebesar 12 Volt DC.

    3).  Hidupkan power supply dan ukur parameter RB, RC, VRB, VRC, VB, VC, VBE, VCE, IB, dan IC             serta dicatat ke dalam tabel.

4.2 Self Bias

    1). Buatlah rangakain seperti gambar 2.4 dengan sumber DC.

    2). Atur Vcc sebesar 12 Volt Dc.

    3). Hidupkan power supply dan ukur parameter RB, RC, RE, VRB, VRC, VRE, VB, VC, VE, VBE,             VCE, IB, dan IC serta dicatat ke dalam tabel.

4.3 Voltage Divider Bias

    1). Buatlah rangakain seperti gambar 2.5 dengan sumber DC.

    2). Atur Vcc sebesar 12 Volt DC.

    3). Hidupkan power supply dan ukur parameter RB, RB2, RC, RE, VRB, VRC, VRE, VB, VC, VE,                 VBE, VCE, IB, dan IC serta dicatat ke dalam tabel.